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Forno semiautomatico per processi termici rapidi
Processo termico rapido
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Forno semiautomatico per processi termici rapidi

GZ-RTP-SM-12 è un sistema semiautomatico di trattamento termico rapido verticale applicato al riscaldamento di wafer singoli da 4-12 pollici.
Temperatura massima 1250℃
Massimo 4 linee del gas

    CARATTERISTICHEprodotto

    Il GZ-RTP-SM-12 è un sistema semiautomatico di trattamento termico rapido verticale. Il sistema utilizza radiazioni visibili ad alta intensità per riscaldare singoli wafer/campioni da 4 a 12 pollici per brevi periodi di tempo a temperature controllate con precisione. I periodi di processo hanno tipicamente una durata compresa tra 1 e 600 secondi, sebbene sia possibile selezionare periodi fino a 9999 secondi. Queste caratteristiche, unite al design a pareti fredde della camera di riscaldamento e all'eccellente uniformità di riscaldamento, offrono vantaggi significativi rispetto ai tradizionali processi in forno.

    1. Riscaldamento con lampada alogena a radiazione visibile ad alta intensità per tempi di riscaldamento rapidi.
    2. Luce infrarossa diffusa dalla speciale superficie della camera in alluminio placcata in oro
    3. Pacchetto software avanzato con tecnologie di controllo in tempo reale e numerose funzioni utili.
    4. Le condizioni atmosferiche o di vuoto sono richiudibili
    5. Standard con due linee del gas, espandibili fino a sei linee del gas con MFC e valvole di intercettazione.
    6. L'azoto (o CDA) di raffreddamento circola intorno alle lampade e al tubo di isolamento in quarzo per garantire un raffreddamento rapido.
    7. Adotta la triplice misura di sicurezza di protezione all'apertura della porta, protezione dell'autorizzazione all'apertura del termostato e protezione di arresto di emergenza per garantire la sicurezza dello strumento.
    8. Wafer da massimo 12 pollici (300*300 mm)

    Parametriprodotto

    Modello

    GZ-RTP-SM-12

    Dimensioni massime del prodotto

    Wafer da 12 pollici, 300*300 mm

    Dimensioni dell'attrezzatura

    L1050mm×W1680mm×H2080mm

    Intervallo di temperatura

    RT~~800℃ (termocoppie)

    800℃~1250℃ (pirometro a infrarossi)

    Aumento della temperatura

    100℃/s per wafer

    20℃/s per dischi portanti in carburo di silicio

    Uniformità della temperatura

    ±1%

    Precisione del controllo della temperatura

    ±2℃

    Tempo di riscaldamento

    Secondo il programma

    Forno

    Superficie della camera in alluminio placcato oro speciale

    Camera a vuoto

    camera di quarzo ad elevata purezza

    Barra

    Staffa al quarzo

    PC

    PC da 12,5 pollici con software

    Stufa

    Lampade alogene

    MFC

    GN2/PN2 (espandibile a 4 linee del gas)

    Opzioniprodotto

    Chillers15n
    Refrigeratori
    Pompe per vuoto jqk
    Pompe per vuoto
    Gaugeiyu a vuoto
    Manometro per vuoto
    MFC0wy
    MFC
    Pirometro hf3
    Pirometro

    Applicazioniprodotto

    ■ Ricottura termica rapida (RTA)
    ■ Crescita di ossidi e nitruri
    ■ Processo di arsenizzazione
    ■ Ricottura dell'impianto
    ■ Ricottura dei contatti ohmici (III-V e SiC)
    ■ Ossidazione termica rapida (RTO)
    ■ Nitrurazione termica rapida (RTN)
    ■ Selenizzazione (celle solari CIGS)
    ■ Deposizione chimica da fase vapore (CVD) di grafene e h-BN (nitruro di boro esagonale)
    ■ Ricottura termica di polimeri ecc.

    Personalizzazioneprodotto

    GMS offre diversi livelli di uniformità, dimensioni, intervallo di temperatura, vuoto e funzioni automatiche; se avete esigenze specifiche in termini di tolleranza o caratteristiche, vi preghiamo di contattarci per comunicarci i vostri requisiti, in modo da poter progettare, testare e adattare l'apparecchiatura di conseguenza.

    Customizationgah

    Servizioprodotto

    GMS Industrial dispone di un team dedicato al mercato, alle vendite, all'assistenza tecnica e alla rete di distribuzione per fornire a clienti e rivenditori servizi completi di prevendita, vendita e post-vendita. Non esitate a contattarci per qualsiasi domanda o esigenza.
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