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Forno semiautomático de processamento térmico rápido
Processo térmico rápido
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Forno semiautomático de processamento térmico rápido

O GZ-RTP-SM-12 é um sistema semiautomático de processamento térmico rápido vertical aplicado ao aquecimento de wafers individuais de 4 a 12 polegadas.
Temperatura máxima: 1250°C
Máximo de 4 linhas de gás

    CARACTERÍSTICASproduto

    O GZ-RTP-SM-12 é um sistema semiautomático de processamento térmico vertical rápido. O sistema utiliza radiação visível de alta intensidade para aquecer wafers/amostras individuais de 4 a 12 polegadas por curtos períodos de tempo, a temperaturas precisamente controladas. Os períodos de processamento têm duração típica de 1 a 600 segundos, embora seja possível selecionar períodos de até 9999 segundos. Essas capacidades, combinadas com o design de parede fria da câmara de aquecimento e a uniformidade superior do aquecimento, proporcionam vantagens significativas em relação ao processamento convencional em forno.

    1. Aquecimento por lâmpada halógena de radiação visível de alta intensidade para taxas de aquecimento rápidas
    2. Luz infravermelha dispersa pela superfície especial da câmara de alumínio revestida a ouro.
    3. Pacote de software avançado com tecnologias de controle em tempo real e muitas funções úteis.
    4. Condições atmosféricas ou de vácuo podem ser fechadas.
    5. Instalação padrão com duas linhas de gás, expansível para até seis linhas com MFCs e válvulas de corte.
    6. O fluxo de N2 (ou CDA) para resfriamento circula ao redor das lâmpadas e do tubo de isolamento de quartzo, proporcionando altas taxas de resfriamento.
    7. Adota medidas de segurança triplas de proteção contra abertura de porta, proteção contra abertura do termostato e proteção de parada de emergência para garantir a segurança do instrumento.
    8. Wafer de no máximo 12 polegadas (300*300mm)

    Parâmetrosproduto

    Modelo

    GZ-RTP-SM-12

    Tamanho máximo do produto

    Wafer de 12 polegadas, 300*300mm

    Tamanho do equipamento

    C1050mm×L1680mm×A2080mm

    Faixa de temperatura

    RT~~800℃ (termopares)

    800℃~1250℃ (pirômetro infravermelho)

    Aumento da temperatura

    100℃/s para wafer

    20℃/s para discos de suporte de carboneto de silício

    Uniformidade de temperatura

    ±1%

    Precisão do controle de temperatura

    ±2℃

    Tempo de aquecimento

    De acordo com o programa

    Forno

    Superfície da câmara de alumínio banhada a ouro especial

    Câmara de vácuo

    Câmara de quartzo de alta pureza

    Suporte

    Suporte de quartzo

    PC

    PC de 12,5 polegadas com software

    Aquecedor

    Lâmpadas halógenas

    MFC

    GN2/PN2 (expansível para 4 linhas de gás)

    Opçõesproduto

    Chillers15n
    Resfriadores
    Bombas de vácuojqk
    Bombas de vácuo
    Medidor de vácuo
    Manômetro de vácuo
    MFC0wy
    MFC
    Pirômetrohf3
    Pirômetro

    Aplicaçõesproduto

    ■ Recozimento térmico rápido (RTA)
    ■ Crescimento de óxido e nitreto
    ■ Processo de arsenitização
    ■ Recozimento de implantes
    ■ Recozimento de contato ôhmico (III-V e SiC)
    ■ Oxidação Térmica Rápida (RTO)
    ■ Nitretação Térmica Rápida (RTN)
    ■ Selenização (células solares CIGS)
    ■ Deposição química de vapor (CVD) de grafeno e h-BN (nitreto de boro hexagonal)
    ■ Recozimento térmico de polímeros, etc.

    Personalizaçãoproduto

    A GMS pode fornecer diferentes níveis de uniformidade, tamanho, faixa de temperatura, vácuo e funções automáticas; se você tiver uma tolerância ou especificação específica que precise ser atendida, entre em contato conosco com suas necessidades para que possamos garantir que o equipamento seja projetado, testado e ajustado para atender a esses requisitos.

    Personalizaçãogah

    Serviçoproduto

    A GMS Industrial conta com equipes de mercado, vendas, assistência técnica e rede para fornecer aos clientes e revendedores serviços completos de pré-venda, venda e pós-venda. Entre em contato conosco caso tenha alguma dúvida ou necessidade.
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